Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaksinis padėklinis sluoksnis — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour substrat, m … Radioelektronikos terminų žodynas
epitaxial substrate film — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… … Radioelektronikos terminų žodynas
film épitaxial pour substrat — epitaksinis padėklinis sluoksnis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. epitaxial substrate film vok. auf dem Trägersubstrat aufgewachsene Epitaxieschicht, f rus. эпитаксиальная плёнка подложки, f pranc. film épitaxial pour… … Radioelektronikos terminų žodynas
ЭПИТАКСИЯ — (от греч. epi на и taxis расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в ва подложки и нарастающего кристалла различны, и г о м о э п и т а к с и ю… … Физическая энциклопедия
Эпитаксия — (от Эпи... и греч. táxis расположение, порядок) ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию) … Большая советская энциклопедия
Микроэлектроника — область электроники (См. Электроника), занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. Возникновение М. в начале 60 х гг. 20 в. было вызвано непрерывным усложнением… … Большая советская энциклопедия
